0.3 nm 台阶与原子级控制确保亚纳米精度
可在原子尺度切换,轻松驾驭数百种材料与多种基材
数周流程缩至数天,实现超快速迭代
一次成型复杂几何,无需光刻掩膜
免洁净室、减 90% 浪费,运营成本直线下降
无需掩膜完成图案化微区ALD
原子级设计:通过单个工艺步骤逐个原子地创建多层结构
掌握复杂的几何形状:90° 壁、深腔(最多 60 微米)和复杂纳米结构上的均匀涂层
大气压氛围操作(无需真空)
新型装置:制造布拉格镜、MIM电容器和垂直互连等先进设备
| 总体指标 | |
| 打印区域 | 最多4英寸 |
| 生长厚度 | 最厚10mm,可以实现不同位置或线条厚度梯度变化 |
| 样品加热温度 | 50℃-300℃ |
| 样品台移动速度 | 10-200mm/s |
| 样品台分辨率 | 100nm |
| 样品装载方式 | 手动 |
| 工艺 | |
| 工艺腔 | 大气环境 |
| Nozzle 分辨率 | 350um(50um-2mm开发中) |
| 对准精度 | 5um |
| 基板到喷嘴间隙 | 干涉测量系统 |
| 气体系统 | |
| 前驱源及气源系统 |
前驱源标配2路 反应源1路 反应气体1路 |
| 前驱源加热温度 | RT-150℃ |
| 设备 | |
| 设备放置 | 光学平台(可选) |
| 设备尺寸 | 1400mm*800mm |

我们非常高兴能够利用 ATLANT 3D NanofabricatorLite (NFL)前所未有的强大功能来探索复杂薄膜材料和界面的原子级工程。这款尖端工具将在推动我们对下一代电池、模拟神经形态计算材料、高功率 GaN 电子器件以及钙钛矿太阳能电池活性层的研究方面发挥关键作用,突破材料科学和器件创新的极限。

ATLANT 3D 的直接沉积能力使我们能够克服光刻技木的设计限制,即使在复杂的表面上也能为电子设备和传感器创造出新颖的器件设计。在单个传感器平台上集历多种材料极大地提升了我们的能力,使其成为我们研究中的宝贵资产。

ATLANT 3D 的直接沉积能力使我们能够克服光刻技木的设计限制,即使在复杂的表面上也能为电子设备和传感器创造出新颖的器件设计。在单个传感器平台上集历多种材料极大地提升了我们的能力,使其成为我们研究中的宝贵资产。
如果您想要了解更多产品信息,请填写以下信息下载产品手册, 我们收到您的信息后将第一时间回复您。

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