NANOFABRICATOR™ LITE 标准版原子层沉积打印系统--直接原子层沉积打印--复纳科技

DALP Technology: Atomic-Level Precision Control

DALP技术
原子级精确控制

NANOFABRICATOR™ LITE 拥有关键特性，可简化并提升研发过程。它专为快速原型设计和新型器件结构开发而打造，支持广泛的原子层沉积（ALD）材料工艺。

Why choose NANOFABRICATOR™ LITE

为什么选择 LITE 标准版原子层沉积打印系统？

精确

0.3 nm 台阶与原子级控制确保亚纳米精度
多材料能力

可在原子尺度切换，轻松驾驭数百种材料与多种基材
速度

数周流程缩至数天，实现超快速迭代
灵活性

一次成型复杂几何，无需光刻掩膜
效率

免洁净室、减 90% 浪费，运营成本直线下降

精确

0.3 nm 台阶与原子级控制确保亚纳米精度

多材料能力

可在原子尺度切换，轻松驾驭数百种材料与多种基材

速度

数周流程缩至数天，实现超快速迭代

灵活性

一次成型复杂几何，无需光刻掩膜

效率

免洁净室、减 90% 浪费，运营成本直线下降

Technical Highlights

技术亮点

无需掩膜完成图案化微区ALD

原子级设计：通过单个工艺步骤逐个原子地创建多层结构

掌握复杂的几何形状：90° 壁、深腔（最多 60 微米）和复杂纳米结构上的均匀涂层

大气压氛围操作（无需真空）

新型装置：制造布拉格镜、MIM电容器和垂直互连等先进设备

Product Application

产品应用

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一步即可从设计直接转化为功能原型。无需多台机器或多道工艺步骤，即可构建气体传感器和 MIM 电容器等复杂设备。快速测试不同的材料组合和结构，以优化设备性能。

Product Specifcation

产品规格参数

总体指标
适用基材类型	平面及多孔基板，包括硅片、玻璃、金属和聚合物薄膜
沉积工艺	空间原子层沉积（Spatial ALD, S-ALD）
沉积温度（热式 S-ALD）	50 ℃ – 250 ℃
沉积温度（等离子体增强 S-ALD）	50 ℃ – 200 ℃
前驱体配置	标准配置最多可连接 4 个前驱体
共反应物	H₂O（标准配置）
可选等离子体气体	O₃、H₂、O₂（可按需求提供其他前驱体和共反应物）
基材装载方式	手动操作，通过两个前厅（一个小型、一个大型）
免费样品区最大尺寸	420 mm × 300 mm
系统整体尺寸	4.0 m（宽） × 3.6 m（深） × 2.1 m（高）

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User Reviews

用户评价

美国佛蒙特大学
卢森堡科学技术研究所
美国威斯康星大学麦迪逊分校

美国佛蒙特大学

我们非常高兴能够利用 ATLANT 3D NanofabricatorLite (NFL)前所未有的强大功能来探索复杂薄膜材料和界面的原子级工程。这款尖端工具将在推动我们对下一代电池、模拟神经形态计算材料、高功率 GaN 电子器件以及钙钛矿太阳能电池活性层的研究方面发挥关键作用，突破材料科学和器件创新的极限。