支持无掩膜图形化沉积
未反应前驱体可回收再利用
可扩展至大面积基底及卷对卷(Roll-to-Roll)工艺
沉积速度比传统 ALD 快约 100 倍
| 总体指标 | |
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适用基材类型 |
平面及多孔基板,包括硅片、玻璃、金属和聚合物薄膜 |
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沉积工艺 |
空间原子层沉积(Spatial ALD, S-ALD) |
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沉积温度(热式 S-ALD) |
50 ℃ – 250 ℃ |
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沉积温度(等离子体增强 S-ALD) |
50 ℃ – 200 ℃ |
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前驱体配置 |
标准配置最多可连接 4 个前驱体 |
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共反应物 |
H₂O(标准配置) |
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可选等离子体气体 |
O₃、H₂、O₂(可按需求提供其他前驱体和共反应物) |
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基材装载方式 |
手动操作,通过两个前厅(一个小型、一个大型) |
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免费样品区最大尺寸 |
420 mm × 300 mm |
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系统整体尺寸 |
4.0 m(宽) × 3.6 m(深) × 2.1 m(高) |
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