
第十一届中国原子层沉积会议将于 2025 年11 月 14-16 日在广州举办。原子层沉积(ALD)技术作为一种面向纳米和亚纳米薄膜以及纳米颗粒的制备技术,具有精确的原子层级厚度调控能力、极好的共形生长特性、近乎化学计量比的化学组成,以及较低的生长温度,现已被广泛应用于微电子、光电子、催化、能源、光学涂层、抗腐蚀层生物医用材料等多个领域。本次会议将共同探讨 ALD 技术的最新研究成果、应用进展与发展趋势,促进产学研深度融合与共同发展。
复纳科学仪器(上海)有限公司(以下简称“复纳科技”)受邀参加此次会议,展示我们最新的原子层沉积技术——Sparknano 空间原子层沉积、Atlant 3D 直接原子层打印以及 Forge Nano 粉末原子层沉积技术,欢迎各位莅临【三楼A0】和【四楼L5】复纳科技展台测试体验和交流,共同探讨最新原子层沉积技术!
会议时间:2025 年 11 月 14-16 日
会议地点:广州天河希尔顿酒店(广州市林和西横路215号)
现场还有两场精彩报告等您来听!

PART.01 SparkNano 空间原子层沉积
SparkNano 提供业界领先的空间原子层沉积 (ALD) 系统,将卓越的薄膜质量、极快的沉积速度和无与伦比的灵活性融为一体。这些先进的系统旨在支持各种空间 ALD 工艺并适应各种基底类型,使其成为研发、工艺开发、产品开发乃至中试线生产的理想解决方案。


空间ald原理示意图
基材类型:平面和多孔基材,包括晶圆、玻璃、金属和聚合物箔
高速处理:沉积速度比传统 ALD 快 100 倍
大尺寸基片:高达 420mm × 325mm 基底,可根据需求定制尺寸
等离子体增强技术的高灵活性:可在对温度敏感的材料(如聚合物)上沉积薄膜
前驱体利用率提升与成本降低:最大化前驱体利用率,并结合未反应前驱体的回收能力

空间ALD实现的卓越保形性、均匀性与精确生长控制
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PART.02 Atlant 3D 直接原子层打印
ATLANT 3D 推出了直接原子层打印(Direct Atomic Layer Processing,DALP®)技术 —— 全球首个能实现原子级精度、无掩模直接写入、多材料原位加工的平台。
基于专利微喷嘴系统的原子级加工平台,可实现选择性沉积、蚀刻、掺杂与表面改性,并以软件方式实现高精度实时控制。与传统 ALD “全表面沉积 + 光刻 + 蚀刻”的流程不同,DALP® 让材料只在需要的位置沉积,真正实现“按需制造”。其能力正在加速半导体、MEMS、光子学、量子计算和航天制造等领域的创新。

无需掩膜,单步工艺即可逐个原子构建多层结构
原子级精准操控,实现 0.3nm 级的精确梯度
兼容数百种材料,包括金属、半导体与氧化物
复杂形貌掌控,在 90°直角及深腔等难处理表面获得均匀镀层
快速原型制作,迭代周期极短
无需洁净室,废料减少 90%,运营成本更低
使用Atlant 3D DALP 系统在复杂结构上沉积均匀保形涂层

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PART.03 Forge Nano 粉末原子层沉积系统
Forge Nano 采用粉末原子层沉积技术(ALD),可提供从包覆研发到工业生产的全套解决方案,包括:流化床技术、旋转床、振动床等。实现从毫克到吨级的粉末处理量,您可以轻松实现从实验室到生产的产品开发计划,广泛应用于锂电、催化、金属、制药等。

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